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VTB1112BH | 蓝光增强型硅光电二极管 VTB1112BH是采用气密TO-46带透镜封装的硅光电二极管,感光面积为1.6mm2。\n\n此光电二极管主要在光伏模式下使用,但也可以在较小的反向偏压下工作。它采用极高分流电阻的设计,因此在高增益互阻抗运放电路中使用时偏置量较小。\n\n功能与优点:\n\n可见光光谱范围\n\n在70至90年内保持1%-2%的线性度\n\n极弱暗电流\n\n极高分流电阻\n\n符合RoHS标准\n\n应用领域:\n\n环境光传感\n\n光照度计\n\n火焰监测\n\n光度测定 • 感光面积 = 1.6 mm2• 短路电流=在100fc,2850K时,最小值为3 µA,• 暗电流 = 最大值100 pA(反向偏压为2 V时)• 结电容 = 典型值0.31 nF(偏压为0 V时)• 光谱范围 = 330 nm至720 nm• 峰值光谱响应=580 nm• 峰值波长的灵敏度=通常为0,29A/W• 角响应 = ±15度(50%响应时); | Excelitas 埃赛力达 | Excelitas | |
VTB1112BH | VTB Process Photodiode 文件:256.11 Kbytes 页数:1 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | ETC | |
VTP Process Photodiodes 文件:26.72 Kbytes 页数:1 Pages | PERKINELMER | PERKINELMER | ||
12dBi Directional Patch 文件:613.15 Kbytes 页数:3 Pages | LVL1 | LVL1 | ||
10.0 Ampere Insulated Single Positive Type Ultra Fast Recovery Rectifier Diode Features ※ ThinkiSemi latest&matured process FRD/FRED ※ Low forward voltage drop ※ High current capability ※ Low reverse leakage current ※ High surge current capability Application ※ Automotive Inverters and Solar Inverters ※ Car Audio Amplifiers and Sound Device Systems ※ Plating Power S 文件:284.66 Kbytes 页数:2 Pages | THINKISEMI 思祁半导体 | THINKISEMI |
详细参数
- 型号:
VTB1112BH
- 制造商:
Excelitas Technologies Corporation
- 功能描述:
SILICON PHOTODIODES
- 制造商:
EG & G VACTEC
- 功能描述:
PHOTO DIODE, Wavelength of Peak
- Sensitivity:
580nm, Angle of Half Sensitivity
- :
1
- :
15, Dark
- Current:
100pA, Diode Case
- Style:
TO-46, No. of
- Pins:
2, Operating Temperature
- Min:
-40C, Operating Temperature
- Max:
110C, Wavelength
- Typ:
580nm , RoHS
- Compliant:
Yes
- 制造商:
PerkinElmer Inc
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ExcelitasTechnologiesSen |
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全新原装 货期两周 |
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