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VT6Z1T2R中文资料双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/PNP数据手册ROHM规格书

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厂商型号

VT6Z1T2R

参数属性

VT6Z1T2R 封装/外壳为6-SMD;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列;产品描述:TRANS NPN/PNP 20V 0.2A 6VMT

功能描述

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/PNP
TRANS NPN/PNP 20V 0.2A 6VMT

封装外壳

6-SMD

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-22 16:28:00

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VT6Z1T2R规格书详情

简介

VT6Z1T2R属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列。由制造生产的VT6Z1T2R晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列双极晶体管阵列在同一封装中包含两个或更多的分立晶体管,这些晶体管可在电气上完全隔离,也可在器件封装内部以某种形式互连。阵列中包含的器件具有相近或互补的特性,采用共同封装可最大程度减小器件在工作过程中的温差。

技术参数

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  • 产品编号:

    VT6Z1T2R

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN,PNP

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    200mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    20V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 10mA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 1mA,2V

  • 功率 - 最大值:

    150mW

  • 频率 - 跃迁:

    400MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    6-SMD

  • 供应商器件封装:

    VMT6

  • 描述:

    TRANS NPN/PNP 20V 0.2A 6VMT

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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