VT6Z1T2R数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列规格书PDF
技术参数
- 产品编号：
VT6Z1T2R
- 制造商：
Rohm Semiconductor
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN，PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
200mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
20V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 10mA，100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 1mA，2V
- 功率 - 最大值：
150mW
- 频率 - 跃迁：
400MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
6-SMD
- 供应商器件封装：
VMT6
- 描述：
TRANS NPN/PNP 20V 0.2A 6VMT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VECTRON |
24+ |
NA/ |
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