VT6Z1T2R 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列 ROHM/罗姆

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1+	面议

厂家型号：
VT6Z1T2R
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
生产厂商：
ROHM/罗姆
库存数量：
12730
产品封装：
NA
生产批号：
23+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2024-5-21 16:00:00

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详细信息
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原厂料号：VT6Z1T2R品牌：ROHM/罗姆

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VT6Z1T2R是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列。制造商ROHM/罗姆/Rohm Semiconductor生产封装NA/6-SMD的VT6Z1T2R晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列双极晶体管阵列在同一封装中包含两个或更多的分立晶体管，这些晶体管可在电气上完全隔离，也可在器件封装内部以某种形式互连。阵列中包含的器件具有相近或互补的特性，采用共同封装可最大程度减小器件在工作过程中的温差。

芯片型号：
VT6Z1T2R
规格书：
下载下载2
企业简称：
ROHM【罗姆】详情
厂商全称：
Rohm Semiconductor
中文名称：
罗姆半导体集团
资料说明：
TR, NPN+PNP, VMT6 PKG - Tape and Reel

产品属性

类型
描述
产品编号：
VT6Z1T2R
制造商：
Rohm Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN，PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
200mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：
20V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 1mA，2V
功率 - 最大值：
150mW
频率 - 跃迁：
400MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
6-SMD
供应商器件封装：
VMT6
描述：
TRANS NPN/PNP 20V 0.2A 6VMT

供应商

企业：
深圳市百诺芯科技有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
张先生
手机：
19926463211
询价：
电话：
0755-23914921
地址：
深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1002号赛格广场2002A

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VT6Z1T2R

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