VT6045CB规格书应用电路供应代理威世科技-114ic电子网

首页 >VT6045CB>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
VT6045CB	文件：122.03 Kbytes Page：5 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VT6045CBP	文件：136.57 Kbytes Page：5 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •TJ200°Cmax.insolarbypassmodeapplication •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VT6045CBP_V01	文件：136.57 Kbytes Page：5 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •TJ200°Cmax.insolarbypassmodeapplication •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VT6045CBP	文件：122.34 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VT6045CBP	文件：123.91 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VT6045CBP_12	文件：123.91 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VT6045CBP_15	文件：126.89 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VT6045CBP-M3-4W	文件：122.34 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VT6045CBP-M3-4W	文件：123.91 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VT6045CBP-M3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
6045	文件：40.48 Kbytes Page：1 Pages	SINGLEPOLE,SINGLETHROWCONNECTORIZEDSWITCHES	MICRONETICSMicronetics, Inc. Micronetics, Inc.	MICRONETICS
APT6045AN	文件：309.99 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=14.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.45Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT6045BN	文件：360.78 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=17A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.45Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT6045BN	文件：50.6 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS POWERMOSIV® N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT6045BNR	文件：360.8 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=17A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.45Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT6045BVFR	文件：138.46 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSV짰FREDFET	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
APT6045BVFRG	文件：138.46 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSV짰FREDFET	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
APT6045BVR	文件：63.02 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. POWERMOSV® PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •Fast	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT6045BVR	文件：420.09 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT6045CVR	文件：61.82 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. POWERMOSV® PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •Fast	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW

12 3 4 5 6 >>>

详细参数

型号：
VT6045CB
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	VT6045CBP-M3/4W	Vishay	23+	TOTO-220AB	33500	全新原装真实库存含13点增值税票!	询价
深圳市国宇半导体科技有限公司	VT6045CBP-M3/4W	VISHAY/威世	23+	TO220AB	10000	公司只做原装正品	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	VT6045CBP-M3/4W	VISHAY/威世	22+	TO220AB	6000	十年配单,只做原装	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	VT6045CBP	VISHAY/威世	2020+		15000	原厂VIP渠道,亚太地区一级代理商,可提供更多数量!	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	VT6045CBP-M3/4W	VISHAY/威世	23+	TO220AB	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市威雅利发展有限公司	VT6045CBP-M3/4W	VISHAY	19+	TO-220	280	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市金芯世纪电子有限公司	VT6045CBP-M3/4W	VISHAY/威世	22+	TO-220	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
深圳市亿联芯电子科技有限公司	VT6045CBP-M3/4W	VISHAY/威世	2023+	TO-220	1000	专注全新正品,优势现货供应	询价
深圳市维尔达电子有限公司	VT6045CBP-M3/4W	VISHAY	2220+	TO-220	15064	一级代理/分销渠道价格优势十年芯程一路只做原装正品	询价
深圳市德创芯微科技有限公司	VT6045CBP-M3/4W	VISHAY	21+	TO-220	280	全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微	询价

更多VT6045CB供应商更新时间2024-6-2 15:30:00

详细参数

相关规格书

相关库存