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VT5202-M3_V01	文件：153.47 Kbytes Page：6 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnologyGen2 •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per JESD22-B106(forTO-220AC,ITO-220AC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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VT5202-M3_V01

文件：153.47 Kbytes

Page：6 Pages

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnologyGen2 •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per JESD22-B106(forTO-220AC,ITO-220AC

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

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更多VT5202-M3_V01供应商更新时间2025-5-17 16:00:00

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