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VT4045BP-M3	文件：109.8 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in 文件：109.8 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VT4045BP-M3	文件：110.72 Kbytes Page：4 Pages	Vishay General Semiconductor 文件：110.72 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VT4045BP-M3	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection Ultra Low VF = 0.28 V at IF = 5 A 分立 Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;	Vishay 威世	Vishay
VT4045BP-M3_V01	文件：109.8 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in 文件：109.8 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VT4045BP-M3/4W	文件：115.73 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection 文件：115.73 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VT4045BP-M3SLASH4W	文件：115.73 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection 文件：115.73 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VT4045BP-M3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-2；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 45V 40A TO220AC	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

详细参数

型号：
VT4045BP-M3
功能描述：
肖特基二极管与整流器 40A 45V TrenchMOS
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
产品：
Schottky Diodes
峰值反向电压：
2 V
正向连续电流：
50 mA
配置：
Crossover Quad
正向电压下降：
370 mV
最大功率耗散：
75 mW
工作温度范围：
- 65 C to + 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-143
封装：
Reel

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