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VT3060G_V01	文件：142.08 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per JESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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更多VT3060G_V01供应商更新时间2024-5-29 15:30:00

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