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VT3060C-E3_V01

文件：202.27 Kbytes

Page：6 Pages

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220ABa

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更多VT3060C-E3_V01供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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