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VT3045CBP/VIT3045CBP规格书详情
特性 Features
Trench MOS Schottky technology
Low forward voltage drop, low power losses
High efficiency operation
应用 Application
oFor use in solar cell junction box as a bypass diode for protection, using DC forward current without reverse bias.
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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