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VT3045BP_V01	文件：109.61 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in 文件：109.61 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VFT3045BP_V01	文件：137.54 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION 文件：137.54 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
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更多VT3045BP_V01供应商更新时间2025-12-1 14:02:00