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VT1080S-E3_V01

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB,

文件:204.44 Kbytes 页数:6 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

VT1103M

QFP

VT1313MFQX

QFN32

VOL

VT1723G

QFP128

VIA

威盛电子

上传:深圳市力拓辉电子有限公司

VT201ABX-ADJ

BGA

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更多VT1080S-E3_V01供应商 更新时间2025-12-9 9:07:00