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VT10200C	文件：145.78 Kbytes Page：5 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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VT10200C-E3_V01	文件：202.16 Kbytes Page：6 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 (forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApacka	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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VT10200C-M3	文件：157.51 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VT10200C-M3_V01	文件：157.51 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VT10200C-E3_15	文件：151.68 Kbytes Page：5 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VT10200C-M3	文件：158.42 Kbytes Page：4 Pages	Low forward voltage drop, low power losses	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VT10200C-M3_15	文件：119.04 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
VT10200C
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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