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VT10200C-M3_V01

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in

文件:157.51 Kbytes 页数:4 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

VT1103M

VOLTERRA
QFP

VT1313MFQX

VOL
QFN32

VOL

VT1723G

VIA
QFP128

VIA

威盛电子

上传:深圳市力拓辉电子有限公司

VT201ABX-ADJ

VOLTERR
BGA

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更多VT10200C-M3_V01供应商 更新时间2025-10-5 9:48:00