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NP100P06PDG	文件：191.09 Kbytes Page：7 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP100P06PDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=6.0mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−50A) RDS(on)2=7.8mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−50A) •Highcurrentrating:ID(	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
NP100P06PDG	文件：1.35852 Mbytes Page：8 Pages	-60V–-100A–P-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description ThisproductisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance:RDS(on)=6.0mMax.(VGS=-10V,ID=-50A) RDS(on)=7.8mMax.(VGS=-4.5V,ID=-50A) Lowinputcapacitance:Ciss=	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP100P06PLG	文件：1.36064 Mbytes Page：8 Pages	-60V–-100A–P-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description ThisproductisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance:RDS(on)=6.0mMax.(VGS=-10V,ID=-50A) RDS(on)=7.8mMax.(VGS=-4.5V,ID=-50A) Lowinputcapacitance:Ciss=	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP100P06PLG	文件：189.76 Kbytes Page：7 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP100P06PLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=6.0mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−50A) RDS(on)2=7.8mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−50A) •Highcurrentrating:ID	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市能元时代电子有限公司	VSO100P06MS	VANGUARD威兆	23+	SOP8	28650	主营品牌深圳百分百原装现货假一罚十绝对价优	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	VSO100P10MS	VANGUARD	23+	SOP8	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	VSO100P10MS	VANGUARD	2022+	SOP-8	40000	原厂代理终端免费提供样品	询价
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深圳市特莱科技有限公司	VSO100P10MS	VANGUARD/威兆	24+23+	SOP8	12580	16年电子元件现货供应商终端BOM表可配单提供样品	询价
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深圳市创新迹电子有限公司	VSO100P10MS	VANGUARD	2022+	SOP-8	30000	进口原装现货供应,原装假一罚十	询价
深圳市惊羽科技有限公司	VSO100P10MS	VANGUARD	24+25+/26+27+	SOP-8.贴片	78800	一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库	询价
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深圳兆威电子有限公司	VSO140N15MS	VANGUARD	23+	SOP8	90000	只做原厂渠道价格优势可提供技术支持	询价

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