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VSMY98575ADS	文件：538.16 Kbytes Page：6 Pages	High Power Infrared Emitting Diode, 850 nm, Surface Emitter Technology DESCRIPTION AspartoftheSurfLightTMportfolio,theVSMY98575ADSis aninfrared,850nmemittingdiodebasedonsurfaceemitter technologywithhighradiantpowerandhighspeed,molded inlowthermalresistanceSMDpackagewithlens.A42mil chipprovidesoutstandingradiantintensityand	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VSMY98575ADS	文件：538.22 Kbytes Page：6 Pages	High Power Infrared Emitting Diode, 850 nm Surface Emitter Technology	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VSMY98575ADS	文件：538.86 Kbytes Page：6 Pages	High Power Infrared Emitting Diode, 850 nm, Surface Emitter Technology	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VSMY98575ADS	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：3-SMD，无引线类别：光电器件 LED 发射器 - 红外，紫外，可见光描述：EMITTER IR 850NM 1A SMD	Vishay Semiconductor Opto Division Vishay Semiconductor Opto Division	Vishay Semiconductor Opto Division
VSMY98575ADS_V02	文件：538.16 Kbytes Page：6 Pages	High Power Infrared Emitting Diode, 850 nm, Surface Emitter Technology DESCRIPTION AspartoftheSurfLightTMportfolio,theVSMY98575ADSis aninfrared,850nmemittingdiodebasedonsurfaceemitter technologywithhighradiantpowerandhighspeed,molded inlowthermalresistanceSMDpackagewithlens.A42mil chipprovidesoutstandingradiantintensityand	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VSMY98575ADS_V01	文件：538.86 Kbytes Page：6 Pages	High Power Infrared Emitting Diode, 850 nm, Surface Emitter Technology	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

产品属性

产品编号：
VSMY98575ADS
制造商：
Vishay Semiconductor Opto Division
类别：
光电器件 > LED 发射器 - 红外，紫外，可见光
系列：
SurfLight™
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
红外（IR）
电流 - DC 正向 (If)（最大值）：
1A
不同 If 时最小辐射强度 (Ie)：
160mW/sr @ 1A
波长：
850nm
电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
3.1V
视角：
150°
方向：
顶视图
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
3-SMD，无引线
描述：
EMITTER IR 850NM 1A SMD

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更多VSMY98575ADS供应商更新时间2024-5-15 15:22:00

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