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VSMY98525DS	文件：217.59 Kbytes Page：6 Pages	High Power Infrared Emitting Diode, 850 nm, Surface Emitter Technology DESCRIPTION As part of the SurfLightTM portfolio, the VSMY98525DS is an infrared, 850 nm emitting diode based on surface emitter technology with high radiant power and high speed, molded in low thermal resistance SMD package with lens. A 42 mil chip provides outstanding radiant intensity and 文件：217.59 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VSMY98525DS	文件：215.41 Kbytes Page：6 Pages	High Power Infrared Emitting Diode, 850 nm Surface Emitter Technology 文件：215.41 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VSMY98525DS	文件：218.29 Kbytes Page：6 Pages	High Power Infrared Emitting Diode, 850 nm, Surface Emitter Technology 文件：218.29 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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VSMY98525DS_V01	文件：218.29 Kbytes Page：6 Pages	High Power Infrared Emitting Diode, 850 nm, Surface Emitter Technology 文件：218.29 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VSMY98525DS	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Power Infrared Emitting Diode, 850 nm, Surface Emitter Technology Package type: surface-mount\n Double stack technology\n Package form: power QFN\n\n ;	Vishay 威世	Vishay
VSMY98525DS	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-SMD，无引线；包装：散装类别：光电器件 LED 发射器 - 红外，紫外，可见光描述：EMITTER IR 850NM 1A SMD	Vishay Semiconductor Opto Division	Vishay Semiconductor Opto Division

产品属性

产品编号：
VSMY98525DS
制造商：
Vishay Semiconductor Opto Division
类别：
光电器件 > LED 发射器 - 红外，紫外，可见光
系列：
SurfLight™
包装：
散装
类型：
红外（IR）
电流 - DC 正向 (If)（最大值）：
1A
不同 If 时最小辐射强度 (Ie)：
800mW/sr @ 1A
波长：
850nm
电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
3.1V
视角：
50°
方向：
顶视图
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
3-SMD，无引线
描述：
EMITTER IR 850NM 1A SMD

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