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VSMY1850ITX01

High Speed Infrared Emitting Diodes, 850 nm, Surface Emitter Technology

DESCRIPTION As part of the SurfLightTM portfolio, the VSMY1850ITX01 is an infrared, 850 nm emitting diode based on GaAlAs surface emitter chip technology with high radiant intensity, high optical power and high speed, molded in clear, untinted 0805 plastic package for surface mounting (SMD).

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威世威世科技公司

VSMY1850ITX01

High Speed Infrared Emitting Diodes, 850 nm,Surface Emitter Technology

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威世威世科技公司

VSMY1850ITX01

High Speed Infrared Emitting Diodes, 850 nm, Surface Emitter Technology

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VSMY1850ITX01

High Speed Infrared Emitting Diodes, 850 nm, Surface Emitter Technology

Package type: surface mount\n Package form: 0805\n Dimensions (L x W x H in mm): 2 x 1.25 x 0.85\n\n ;

Vishay

威世

VSMY1850ITX01

Package:0805(2012 公制);包装:卷带(TR)剪切带(CT) 类别:光电器件 LED 发射器 - 红外,紫外,可见光 描述:EMITTER IR 850NM 100MA 0805

Vishay Semiconductor Opto Division

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VSMY1850ITX01_V02

High Speed Infrared Emitting Diodes, 850 nm, Surface Emitter Technology

DESCRIPTION As part of the SurfLightTM portfolio, the VSMY1850ITX01 is an infrared, 850 nm emitting diode based on GaAlAs surface emitter chip technology with high radiant intensity, high optical power and high speed, molded in clear, untinted 0805 plastic package for surface mounting (SMD).

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VSMY1850ITX01_V01

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产品属性

  • 产品编号:

    VSMY1850ITX01

  • 制造商:

    Vishay Semiconductor Opto Division

  • 类别:

    光电器件 > LED 发射器 - 红外,紫外,可见光

  • 系列:

    SurfLight™

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 类型:

    红外(IR)

  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值):

    100mA

  • 不同 If 时最小辐射强度 (Ie):

    5mW/sr @ 100mA

  • 波长:

    850nm

  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值):

    1.65V

  • 视角:

    120°

  • 方向:

    顶视图

  • 工作温度:

    -40°C ~ 105°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    0805(2012 公制)

  • 描述:

    EMITTER IR 850NM 100MA 0805

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更多VSMY1850ITX01供应商 更新时间2025-11-30 15:01:00