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VSML3710-GS08	文件：137.55 Kbytes Page：7 Pages	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW DESCRIPTION VSML3710 is an infrared, 940 nm emitting diode in GaAlAs, MQW (multi quantum well) technology with high radiant power, molded in a PLCC-2 package for surface mounting (SMD). FEATURES • Package type: surface mount • Package form: PLCC-2 • Dimensions (L x W x H in mm): 3.5 x 2. 文件：137.55 Kbytes 页数：7 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VSML3710-GS08	文件：141.75 Kbytes Page：6 Pages	High Power Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 940 nm, GaAlAs/GaAs 文件：141.75 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VSML3710-GS08	文件：142.26 Kbytes Page：6 Pages	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs/GaAs 文件：142.26 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VSML3710-GS08	文件：139.91 Kbytes Page：7 Pages	High Power Infrared Emitting Diode 文件：139.91 Kbytes 页数：7 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VSML3710-GS08	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：2-PLCC；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：光电器件 LED 发射器 - 红外，紫外，可见光描述：EMITTER IR 940NM 100MA 2-PLCC	Vishay Semiconductor Opto Division	Vishay Semiconductor Opto Division

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更多VSML3710-GS08供应商更新时间2025-10-3 22:59:00