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VSM008N10HS规格书详情
描述 Description
N沟道增强型功率MOSFET采用VitoMOSⅡ技术制造，具有更低的导通损耗和开关损耗以及优越的开关性能。该产品可广泛应用于快充、马达驱动等领域。
特性 Features
1.VitoMOSⅡ 技术
2.极低的Qg
3.更低的导通损耗和开关损耗
4.100%雪崩测试
5.无铅电镀；符合 RoHS 标准
技术参数
- 制造商编号
：VSM008N10HS
- 生产厂家
：Vergiga
- ESD
：-
- BVDSS[V]
：100.00
- bVGS[V]
：25.00
- vth_min
：2.20
- vth_max
：3.50
- ID[A]
：95.00
- PD[W]
：125.00
- RDS (on) Typ[mR]@10V
：6.90
- RDS (on) Typ[mR]@4.5V
：0.00
- RDS (on) Typ[mR]@2.5V
：0.00
- RDS (on) Typ[mR]@1.8V
：0.00
- Ciss
：2075.00
- Coss
：1020.00
- Crss
：80.00
- Qg(10V)[nC]
：31.00
- Qg(4.5V)[nC]
：15.10
- Package
：TO-263
- Technology
：SGT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VANGUARD |
2022+ |
TO-263 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
2450+ |
SMD |
6540 |
只做原装正品现货或订货!终端客户免费申请样品! |
询价 | ||
TFK |
24+ |
DIP |
17500 |
原装现货 自家库存 欢迎来电 |
询价 | ||
N/A |
23+ |
DIP |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
AIRBORN |
2015 |
3 |
公司优势库存 热卖中! |
询价 | |||
vishay |
24+ |
4000 |
询价 | ||||
VANGUARD/威兆 |
2511 |
TO-263 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
Chahua-Electric(茶花电气) |
24+ |
插件 |
8215 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
AIRBORN/美国连接器厂商 |
23+ |
NA |
5000 |
公司只做原装,可配单 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
SMD |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
