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VSM008N10HS中文资料MOSFET数据手册Vergiga规格书
VSM008N10HS规格书详情
描述 Description
N沟道增强型功率MOSFET采用VitoMOSⅡ技术制造，具有更低的导通损耗和开关损耗以及优越的开关性能。该产品可广泛应用于快充、马达驱动等领域。
特性 Features
1.VitoMOSⅡ 技术
2.极低的Qg
3.更低的导通损耗和开关损耗
4.100%雪崩测试
5.无铅电镀；符合 RoHS 标准
技术参数
- 制造商编号
：VSM008N10HS
- 生产厂家
：Vergiga
- ESD
：-
- BVDSS[V]
：100.00
- bVGS[V]
：25.00
- vth_min
：2.20
- vth_max
：3.50
- ID[A]
：95.00
- PD[W]
：125.00
- RDS (on) Typ[mR]@10V
：6.90
- RDS (on) Typ[mR]@4.5V
：0.00
- RDS (on) Typ[mR]@2.5V
：0.00
- RDS (on) Typ[mR]@1.8V
：0.00
- Ciss
：2075.00
- Coss
：1020.00
- Crss
：80.00
- Qg(10V)[nC]
：31.00
- Qg(4.5V)[nC]
：15.10
- Package
：TO-263
- Technology
：SGT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Chahua-Electric(茶花电气) |
24+ |
插件 |
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Chahua-Electric(茶花电气) |
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Chahua-Electric(茶花电气) |
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