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VSLB4940	文件：105.36 Kbytes Page：5 Pages	High Speed Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW DESCRIPTION VSLB4940 is a high speed infrared emitting diode in GaAlAs, MQW technology, molded in a clear plastic package. FEATURES • Package type: leaded • Package form: T-1, clear epoxy • Dimensions: Ø 3 mm • High speed • High radiant power • Low forward voltage • Suitable for high p 文件：105.36 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
VSLB4940	文件：107.73 Kbytes Page：5 Pages	High Speed Infrared Emitting Diode 文件：107.73 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
VSLB4940	文件：106.07 Kbytes Page：5 Pages	High Speed Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW 文件：106.07 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
VSLB4940	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Speed Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW Package type: leaded\n Package form: T-1, clear epoxy\n Dimensions: Ø 3 mm\n\n ;	Vishay 威世	Vishay
VSLB4940	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：径向；包装：散装类别：光电器件 LED 发射器 - 红外，紫外，可见光描述：EMITTER IR 940NM 100MA RADIAL	Vishay Semiconductor Opto Division	Vishay Semiconductor Opto Division
VSLB4940_V02	文件：105.36 Kbytes Page：5 Pages	High Speed Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW DESCRIPTION VSLB4940 is a high speed infrared emitting diode in GaAlAs, MQW technology, molded in a clear plastic package. FEATURES • Package type: leaded • Package form: T-1, clear epoxy • Dimensions: Ø 3 mm • High speed • High radiant power • Low forward voltage • Suitable for high p 文件：105.36 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
VSLB4940_V01	文件：106.07 Kbytes Page：5 Pages	High Speed Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW 文件：106.07 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay

产品属性

产品编号：
VSLB4940
制造商：
Vishay Semiconductor Opto Division
类别：
光电器件 > LED 发射器 - 红外，紫外，可见光
包装：
散装
类型：
红外（IR）
电流 - DC 正向 (If)（最大值）：
100mA
不同 If 时最小辐射强度 (Ie)：
32mW/sr @ 100mA
波长：
940nm
电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
1.42V
视角：
44°
方向：
顶视图
工作温度：
-25°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
径向
描述：
EMITTER IR 940NM 100MA RADIAL

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