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VSLB4940	文件：105.36 Kbytes Page：5 Pages	High Speed Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW DESCRIPTION VSLB4940isahighspeedinfraredemittingdiodeinGaAlAs, MQWtechnology,moldedinaclearplasticpackage. FEATURES •Packagetype:leaded •Packageform:T-1,clearepoxy •Dimensions:Ø3mm •Highspeed •Highradiantpower •Lowforwardvoltage •Suitableforhighp	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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VSLB4940	文件：106.07 Kbytes Page：5 Pages	High Speed Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VSLB4940	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：径向；包装：散装类别：光电器件 LED 发射器 - 红外，紫外，可见光描述：EMITTER IR 940NM 100MA RADIAL	Vishay Semiconductor Opto Division Vishay Semiconductor Opto Division	Vishay Semiconductor Opto Division
VSLB4940_V02	文件：105.36 Kbytes Page：5 Pages	High Speed Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW DESCRIPTION VSLB4940isahighspeedinfraredemittingdiodeinGaAlAs, MQWtechnology,moldedinaclearplasticpackage. FEATURES •Packagetype:leaded •Packageform:T-1,clearepoxy •Dimensions:Ø3mm •Highspeed •Highradiantpower •Lowforwardvoltage •Suitableforhighp	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VSLB4940_V01	文件：106.07 Kbytes Page：5 Pages	High Speed Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

产品属性

产品编号：
VSLB4940
制造商：
Vishay Semiconductor Opto Division
类别：
光电器件 > LED 发射器 - 红外，紫外，可见光
包装：
散装
类型：
红外（IR）
电流 - DC 正向 (If)（最大值）：
100mA
不同 If 时最小辐射强度 (Ie)：
32mW/sr @ 100mA
波长：
940nm
电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
1.42V
视角：
44°
方向：
顶视图
工作温度：
-25°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
径向
描述：
EMITTER IR 940NM 100MA RADIAL

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