首页>VSK002N08HC-G>规格书详情
VSK002N08HC-G数据手册Vergiga中文资料规格书
VSK002N08HC-G规格书详情
描述 Description
N沟道增强型功率MOSFET采用VitoMOSⅡ技术制造，具有更低的导通损耗和开关损耗以及优越的开关性能。该产品可广泛应用于电池保护、开关电源和马达驱动等领域。
特性 Features
1.VitoMOSⅡ 技术
2.极低的Qg
3.更低的导通损耗和开关损耗
4.100%雪崩测试
技术参数
- 制造商编号
：VSK002N08HC-G
- 生产厂家
：Vergiga
- ESD
：-
- BVDSS[V]
：80.00
- bVGS[V]
：25.00
- vth_min
：2.30
- vth_max
：3.30
- ID[A]
：255.00
- PD[W]
：283.00
- RDS (on) Typ[mR]@10V
：1.30
- RDS (on) Typ[mR]@4.5V
：0.00
- RDS (on) Typ[mR]@2.5V
：0.00
- RDS (on) Typ[mR]@1.8V
：0.00
- Ciss
：12310.00
- Coss
：2670.00
- Crss
：45.00
- Qg(10V)[nC]
：204.00
- Qg(4.5V)[nC]
：0.00
- Package
：TOLL
- Technology
：SGT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VARO |
22+ |
IN4007 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
MICROSEMI |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
MICROSEMI/美高森美 |
23+ |
TO-220AB |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
25+23+ |
TO-263 |
51867 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
询价 | |||
VARO |
4 |
IN4007 |
686 |
原装正品 |
询价 | ||
Vishay General Semiconductor - |
25+ |
4-方形 KBPC-1 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
VARO |
25+ |
IN4007 |
3000 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
询价 | ||
VARO |
新 |
111 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
MICROSEMI |
24+ |
5046 |
原装现货,特价销售 |
询价 | |||
MICROSEMI |
0002 |
1 |
优势货源原装正品 |
询价 |
