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VSF013N10MS3-G数据手册Vergiga中文资料规格书

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厂商型号

VSF013N10MS3-G

功能描述

MOSFET

制造商

Vergiga Shenzhen Vergiga Semiconductor Co., LTD.

中文名称

威兆半导体 深圳市威兆半导体股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 19:55:00

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VSF013N10MS3-G规格书详情

描述 Description

N沟道增强型功率MOSFET采用VitoMOSⅡ技术制造,具有更低的导通损耗和开关损耗以及优越的开关性能。该产品可广泛应用于快充、开关电源等领域。

特性 Features

1.VitoMOSⅡ 技术
2.100%雪崩测试

技术参数

  • 制造商编号

    :VSF013N10MS3-G

  • 生产厂家

    :Vergiga

  • ESD

    :-

  • BVDSS[V]

    :100.00

  • BVGS[V]

    :20.00

  • Vth[V]_min

    :2.40

  • Vth[V]_max

    :3.70

  • ID[A]

    :42.00

  • RDS (on) Typ[Ω]@10V

    :10.00

  • RDS (on) Typ[Ω]@4.5V

    :13.50

  • RDS (on) Typ[Ω]@2.5V

    :-

  • RDS (on) Typ[Ω]@1.8V

    :-

  • Ciss

    :1515.00

  • Coss

    :760.00

  • Crss

    :40.00

  • Package

    :TO-220SF

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
xilinx
22+
SOT
6800
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60000
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VANGUARD/威兆
24+
TO-220F
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23+
SOT
8000
全新原装
询价