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VSD007N04MS-G数据手册Vergiga中文资料规格书
VSD007N04MS-G规格书详情
描述 Description
N沟道增强型功率MOSFET采用VitoMOSⅡ技术制造，具有更低的导通损耗和开关损耗以及优越的开关性能。可广泛应用于电池保护等领域。
特性 Features
1.VitoMOSⅡ 技术
2.极低的Qg
3.更低的导通损耗和开关损耗
4.100%雪崩测试
技术参数
- 制造商编号
：VSD007N04MS-G
- 生产厂家
：Vergiga
- ESD
：-
- BVDSS[V]
：40.00
- bVGS[V]
：20.00
- vth_min
：1.20
- vth_max
：2.30
- ID[A]
：90.00
- PD[W]
：51.00
- RDS (on) Typ[mR]@10V
：3.60
- RDS (on) Typ[mR]@4.5V
：5.30
- RDS (on) Typ[mR]@2.5V
：0.00
- RDS (on) Typ[mR]@1.8V
：0.00
- Ciss
：1295.00
- Coss
：490.00
- Crss
：30.00
- Qg(10V)[nC]
：27.00
- Qg(4.5V)[nC]
：14.00
- Package
：TO-252
- Technology
：SGT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HAMOS/汉姆 |
24+ |
NA/ |
33250 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
VANGUARD/威兆 |
23+ |
TO-252 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
HAMOS/汉姆 |
24+ |
TO252 |
7800 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 | ||
VANGUARD |
2022+ |
TO-252 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
询价 | ||
VANGUARD |
20+ |
TO-252 |
32500 |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
询价 | ||
Vanguard(威兆) |
2447 |
TO-252 |
105000 |
2500个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
询价 | ||
VANGUARD/威兆 |
2511 |
TO-252 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
VANGUARD/威兆 |
24+ |
TO-252 |
100000 |
原装现货 |
询价 | ||
VANGUARD |
25+ |
TO-252 |
188600 |
全新原厂原装正品现货 欢迎咨询 |
询价 | ||
Vanguard |
TO-252 |
22+ |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 |
