VSB3200中文资料PDF规格书
厂商型号 |
VSB3200 |
参数属性 | VSB3200 封装/外壳为DO-201AD,轴向;包装为带盒(TB);类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单;产品描述:DIODE SCHOTTKY 200V 3A DO201AD |
功能描述 | High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
文件大小 |
84.14 Kbytes |
页面数量 |
4 页 |
生产厂商 | Vishay Siliconix |
企业简称 |
Vishay【威世科技】 |
中文名称 | 威世科技官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-4-30 16:50:00 |
VSB3200规格书详情
FEATURES
• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
• Material categorization: For definitions of compliance
please see www.vishay.com/doc?99912
TYPICAL APPLICATIONS
For use in high frequency rectifier of switching mode power
supplies, freewheeling diodes, DC/DC converters or polarity
protection application.
MECHANICAL DATA
Case: DO-201AD
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-M3 - halogen-free, RoHS-compliant, and
commercial grade
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD 22-B102
M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test
Polarity: Color band denotes the cathode end
产品属性
- 产品编号:
VSB3200-E3/73
- 制造商:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装:
带盒(TB)
- 二极管类型:
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io):
3A
- 速度:
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 不同 Vr、F 时电容:
175pF @ 4V,1MHz
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
DO-201AD,轴向
- 供应商器件封装:
DO-201AD
- 工作温度 - 结:
-40°C ~ 150°C
- 描述:
DIODE SCHOTTKY 200V 3A DO201AD
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAYMAS |
22+23+ |
DO-201AD |
52611 |
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VISHAY(威世) |
23+ |
P600 |
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SMSC |
16+ |
QFN |
50000 |
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10 |
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VISHAY |
18+ |
DO-201A |
85600 |
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Vishay General Semiconductor - |
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Vishay |
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Vishay |
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