Photovoltaic Solar Cell Protection Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • High forward surge capability • ESD capability • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • TJ 200 °C max. in solar by-pass mode application • Material categorization:

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Photovoltaic Solar Cell Protection Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.26 V at IF = 5 A

分立 ·Trench MOS Schottky technology\n·Low forward voltage drop, low power losses\n·High efficiency operation;

Vishay

威世

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FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • High forward surge capability • ESD capability • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • TJ 200 °C max. in solar by-pass mode application • Material categorization:

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Package：P600，轴向；包装：散装 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A P600

Vishay General Semiconductor - Diodes Division