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VSB011N06MS中文资料MOSFET数据手册Vergiga规格书
VSB011N06MS规格书详情
描述 Description
N沟道增强型功率MOSFET采用Trench工艺针对更低Rds(on)和更高载流能力进行优化。该类产品非常适合要求高性能和耐用性的中低频应用,如快充和无线充等。
特性 Features
1.较低的导通损耗和开关损耗
2.雪崩能力强
3.100%雪崩测试
技术参数
- 制造商编号
:VSB011N06MS
- 生产厂家
:Vergiga
- ESD
:-
- BVDSS[V]
:60.00
- bVGS[V]
:20.00
- vth_min
:1.30
- vth_max
:2.40
- ID[A]
:50.00
- PD[W]
:42.00
- RDS (on) Typ[mR]@10V
:9.00
- RDS (on) Typ[mR]@4.5V
:11.00
- RDS (on) Typ[mR]@2.5V
:0.00
- RDS (on) Typ[mR]@1.8V
:0.00
- Ciss
:3865.00
- Coss
:175.00
- Crss
:135.00
- Qg(10V)[nC]
:62.00
- Qg(4.5V)[nC]
:0.00
- Package
:TDFN3.3x3.3
- Technology
:Trench MOS
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
BBC |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
21+ |
DO-201AD |
30000 |
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询价 | ||
VISHAYMAS |
25+23+ |
DO-201AD |
52342 |
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询价 | ||
PROTEKDEVIC |
25+ |
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询价 | ||
24+ |
SIP-10P |
4 |
询价 | ||||
PROTEK/普罗太克 |
23+ |
NA |
12730 |
原装正品代理渠道价格优势 |
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Vishay General Semiconductor - |
25+ |
DO-201AD |
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VSIP |
01+ |
ZIP10P |
28 |
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VANGUARD |
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DFN3.3X3.3-8 |
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VANGUARD威兆 |
23+ |
TDFN3.3X3.3 |
22820 |
原装正品,支持实单 |
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