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VSA030C03MD	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET P沟道增强型功率MOSFET采用Trench工艺针对更低Rds(on)和更高载流能力进行优化。该类产品非常适合要求高性能和耐用性的中低频应用，如负载开关和马达驱动等。 1.N+P增强型MOSFET\n2.较低的导通损耗和开关损耗\n3.雪崩能力强;	Vergiga 威兆半导体	Vergiga
VSC7389XHO	文件：0 bytes Page：0 Pages	VITESSE BGA596	VITESSE 上传：深圳市胜彬电子有限公司	VITESSE
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VSC7407XHO	文件：0 bytes Page：0 Pages	VITESSE BGA	VITESSE 上传：深圳市科恒伟业电子有限公司	VITESSE

技术参数

BVDSS[V]：
30.00
bVGS[V]：
20.00
vth_min：
1.30
vth_max：
2.40
ID[A]：
8.00
PD[W]：
2.00
RDS (on) Typ[mR]@10V：
21.00
RDS (on) Typ[mR]@4.5V：
28.00
RDS (on) Typ[mR]@2.5V：
0.00
RDS (on) Typ[mR]@1.8V：
0.00
Ciss：
460.00
Coss：
75.00
Crss：
60.00
Qg(10V)[nC]：
11.30
Qg(4.5V)[nC]：
8.30
Package：
DFN2x3-8L
Technology：
Trench MOS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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