VS6412AE中文资料MOSFET数据手册Vergiga规格书
VS6412AE规格书详情
描述 Description
N沟道增强型功率MOSFET采用Trench工艺针对更低Rds(on)和更高载流能力进行优化。该类产品非常适合要求高性能和耐用性的中低频应用,如快充和无线充等。
特性 Features
1.较低的导通损耗和开关损耗
2.雪崩能力强
3.100%雪崩测试
技术参数
- 制造商编号
:VS6412AE
- 生产厂家
:Vergiga
- ESD
:-
- BVDSS[V]
:65.00
- bVGS[V]
:20.00
- vth_min
:1.00
- vth_max
:2.50
- ID[A]
:30.00
- PD[W]
:32.00
- RDS (on) Typ[mR]@10V
:19.00
- RDS (on) Typ[mR]@4.5V
:22.00
- RDS (on) Typ[mR]@2.5V
:0.00
- RDS (on) Typ[mR]@1.8V
:0.00
- Ciss
:1240.00
- Coss
:95.00
- Crss
:85.00
- Qg(10V)[nC]
:21.00
- Qg(4.5V)[nC]
:0.00
- Package
:PDFN3333
- Technology
:Trench MOS
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
6250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
SMD |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
21+ |
SMD |
1000 |
只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询! |
询价 | ||
ST/意法 |
2023+ |
SMD |
1000 |
十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
SMD |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
VANGUARD威兆 |
23+ |
PDFN3333 |
22820 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
Vanguard(威兆) |
2447 |
PDFN3333 |
105000 |
5000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
询价 | ||
ST |
24+/25+ |
10000 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
VANGUARD/威兆 |
24+ |
SOP8 |
100000 |
原装现货 |
询价 | ||
VANGUARD |
1832+ |
PDFN333 |
5998 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 |