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VS6018BTD中文资料MOSFET数据手册Vergiga规格书

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厂商型号

VS6018BTD

功能描述

MOSFET

制造商

Vergiga Shenzhen Vergiga Semiconductor Co., LTD.

中文名称

威兆半导体 深圳市威兆半导体股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 9:35:00

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VS6018BTD规格书详情

描述 Description

N沟道增强型功率MOSFET采用Trench工艺针对更低Rds(on)和更高载流能力进行优化。该类产品非常适合要求高性能和耐用性的中低频应用,如电池保护和马达驱动等。

特性 Features

1.较低的导通损耗和开关损耗
2.雪崩能力强
3.100%雪崩测试

技术参数

  • 制造商编号

    :VS6018BTD

  • 生产厂家

    :Vergiga

  • ESD

    :-

  • BVDSS[V]

    :65.00

  • bVGS[V]

    :20.00

  • vth_min

    :1.30

  • vth_max

    :2.40

  • ID[A]

    :95.00

  • PD[W]

    :115.00

  • RDS (on) Typ[mR]@10V

    :6.30

  • RDS (on) Typ[mR]@4.5V

    :7.60

  • RDS (on) Typ[mR]@2.5V

    :0.00

  • RDS (on) Typ[mR]@1.8V

    :0.00

  • Ciss

    :5080.00

  • Coss

    :250.00

  • Crss

    :205.00

  • Qg(10V)[nC]

    :82.00

  • Qg(4.5V)[nC]

    :0.00

  • Package

    :TO-263

  • Technology

    :Trench MOS

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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TO-252
87500
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