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VS4620GEMC中文资料MOSFET数据手册Vergiga规格书
VS4620GEMC规格书详情
描述 Description
N沟道增强型功率MOSFET采用VitoMOSⅡ技术制造,具有更低的导通损耗和开关损耗以及优越的开关性能。该产品广泛应用于DC-DC、负载开关以及无线充等领域。
特性 Features
1.VitoMOSⅡ 技术
2.极低的Qg
3.更低的导通损耗和开关损耗
4.100%雪崩测试
技术参数
- 制造商编号
:VS4620GEMC
- 生产厂家
:Vergiga
- ESD
:-
- BVDSS[V]
:40.00
- bVGS[V]
:20.00
- vth_min
:1.10
- vth_max
:2.30
- ID[A]
:36.00
- PD[W]
:30.00
- RDS (on) Typ[mR]@10V
:6.40
- RDS (on) Typ[mR]@4.5V
:10.00
- RDS (on) Typ[mR]@2.5V
:0.00
- RDS (on) Typ[mR]@1.8V
:0.00
- Ciss
:735.00
- Coss
:285.00
- Crss
:25.00
- Qg(10V)[nC]
:15.00
- Qg(4.5V)[nC]
:7.60
- Package
:PDFN3333
- Technology
:SGT
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VANGUARD/威兆 |
24+ |
NA/ |
13250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
VANGUARD/威兆 |
24+ |
PDFN3333 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
Vishay Semiconductor Diodes Di |
22+ |
TO262 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
VANGUARD/威兆 |
2450+ |
SOP8 |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
VS |
23+ |
PDFN3333 |
1008 |
原装热卖现货 |
询价 | ||
Vergiga Semiconductor |
21+ |
5000 |
Rohm授权代理,自营现货 |
询价 | |||
NK/南科功率 |
2025+ |
DFN3333-8 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
VANGUARD/威兆 |
24+ |
PDFN3333 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
VANGUARD |
25+ |
TO-220AB |
188600 |
全新原厂原装正品现货 欢迎咨询 |
询价 | ||
VANGUARD/威兆 |
2511 |
PDFN3333 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 |