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VS4620GEMC中文资料MOSFET数据手册Vergiga规格书

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厂商型号

VS4620GEMC

功能描述

MOSFET

制造商

Vergiga Shenzhen Vergiga Semiconductor Co., LTD.

中文名称

威兆半导体 深圳市威兆半导体股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-27 22:59:00

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VS4620GEMC规格书详情

描述 Description

N沟道增强型功率MOSFET采用VitoMOSⅡ技术制造,具有更低的导通损耗和开关损耗以及优越的开关性能。该产品广泛应用于DC-DC、负载开关以及无线充等领域。

特性 Features

1.VitoMOSⅡ 技术
2.极低的Qg
3.更低的导通损耗和开关损耗
4.100%雪崩测试

技术参数

  • 制造商编号

    :VS4620GEMC

  • 生产厂家

    :Vergiga

  • ESD

    :-

  • BVDSS[V]

    :40.00

  • bVGS[V]

    :20.00

  • vth_min

    :1.10

  • vth_max

    :2.30

  • ID[A]

    :36.00

  • PD[W]

    :30.00

  • RDS (on) Typ[mR]@10V

    :6.40

  • RDS (on) Typ[mR]@4.5V

    :10.00

  • RDS (on) Typ[mR]@2.5V

    :0.00

  • RDS (on) Typ[mR]@1.8V

    :0.00

  • Ciss

    :735.00

  • Coss

    :285.00

  • Crss

    :25.00

  • Qg(10V)[nC]

    :15.00

  • Qg(4.5V)[nC]

    :7.60

  • Package

    :PDFN3333

  • Technology

    :SGT

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