VS3622DP3数据手册Vergiga中文资料规格书
VS3622DP3规格书详情
描述 Description
N沟道增强型功率MOSFET采用Trench工艺针对更低Rds(on)和更高载流能力进行优化。该类产品非常适合要求高性能和耐用性的中低频应用，如快充、车充和无线充等。
特性 Features
1.双N沟道增强型
2.较低的导通损耗和开关损耗
3.雪崩能力强
技术参数
- 制造商编号
：VS3622DP3
- 生产厂家
：Vergiga
- ESD
：-
- BVDSS[V]
：30.00
- bVGS[V]
：20.00
- vth_min
：1.30
- vth_max
：2.40
- ID[A]
：40.00
- PD[W]
：21.00
- RDS (on) Typ[mR]@10V
：8.70
- RDS (on) Typ[mR]@4.5V
：12.00
- RDS (on) Typ[mR]@2.5V
：0.00
- RDS (on) Typ[mR]@1.8V
：0.00
- Ciss
：890.00
- Coss
：140.00
- Crss
：105.00
- Qg(10V)[nC]
：19.00
- Qg(4.5V)[nC]
：13.00
- Package
：PDFN5x6 Dual
- Technology
：Trench MOS
