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VS2N60AZ数据手册Vergiga中文资料规格书

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厂商型号

VS2N60AZ

功能描述

MOSFET

制造商

Vergiga Shenzhen Vergiga Semiconductor Co., LTD.

中文名称

威兆半导体 深圳市威兆半导体股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 20:00:00

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VS2N60AZ规格书详情

描述 Description

N沟道增强型高压功率MOSFET采用Planar工艺技术制造。该产品可广泛应用于各类开关电源。

特性 Features

1.较低的导通电阻
2.开关速度快
3.无铅电镀;符合 RoHS 标准;

技术参数

  • 制造商编号

    :VS2N60AZ

  • 生产厂家

    :Vergiga

  • ESD

    :-

  • BVDSS[V]

    :600.00

  • bVGS[V]

    :30.00

  • vth_min

    :2.40

  • vth_max

    :3.70

  • ID[A]

    :2.00

  • PD[W]

    :2.50

  • RDS (on) Typ[mR]@10V

    :5000.00

  • RDS (on) Typ[mR]@4.5V

    :0.00

  • RDS (on) Typ[mR]@2.5V

    :0.00

  • RDS (on) Typ[mR]@1.8V

    :0.00

  • Ciss

    :210.00

  • Coss

    :25.00

  • Crss

    :5.00

  • Qg(10V)[nC]

    :5.40

  • Qg(4.5V)[nC]

    :0.00

  • Package

    :SOT223

  • Technology

    :Planar MOS

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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