VS2622AE中文资料MOSFET数据手册Vergiga规格书
VS2622AE规格书详情
描述 Description
N沟道增强型功率MOSFET采用Trench工艺针对更低Rds(on)和更高载流能力进行优化。该类产品非常适合要求高性能和耐用性的中低频应用，如负载开关和电池保护等。
特性 Features
1.较低的导通损耗和开关损耗
2.雪崩能力强
3.100%雪崩测试
技术参数
- 制造商编号
：VS2622AE
- 生产厂家
：Vergiga
- ESD
：-
- BVDSS[V]
：20.00
- bVGS[V]
：12.00
- vth_min
：0.40
- vth_max
：1.00
- ID[A]
：56.00
- PD[W]
：29.00
- RDS (on) Typ[mR]@10V
：4.80
- RDS (on) Typ[mR]@4.5V
：5.60
- RDS (on) Typ[mR]@2.5V
：7.70
- RDS (on) Typ[mR]@1.8V
：0.00
- Ciss
：1290.00
- Coss
：200.00
- Crss
：180.00
- Qg(10V)[nC]
：15.00
- Qg(4.5V)[nC]
：0.00
- Package
：PDFN3333
- Technology
：Trench MOS
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vanguard(威兆) |
2447 |
PDFN3333 |
105000 |
5000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
询价 | ||
Vishay |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
VANGUARD/威兆 |
24+ |
PDFN3333 |
100000 |
原装现货 |
询价 | ||
Vishay |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
VANGUARD/威兆 |
25+ |
DFN |
20300 |
VANGUARD/威兆原装特价VS2622AE即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
Vishay/Semiconductors |
24+ |
D-34A |
265 |
询价 | |||
NK/南科功率 |
2025+ |
DFN3333-8 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
VANGUARD/威兆 |
20+ |
PDFN3333 |
120000 |
原装正品 可含税交易 |
询价 | ||
VANGUARD |
24+ |
PDFN3333 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
VANGUARD/威兆 |
2511 |
PDFN3333 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 |
