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VS1606GT数据手册Vergiga中文资料规格书

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厂商型号

VS1606GT

功能描述

MOSFET

制造商

Vergiga Shenzhen Vergiga Semiconductor Co., LTD.

中文名称

威兆半导体 深圳市威兆半导体股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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VS1606GT规格书详情

描述 Description

N沟道增强型功率MOSFET采用VitoMOSⅡ技术制造,具有更低的导通损耗和开关损耗以及优越的开关性能。该产品可广泛应用于开关电源、电池保护等领域。

特性 Features

1.VitoMOSⅡ 技术
2.更低的导通损耗和开关损耗
3.极低的Qg
4.100% 雪崩测试;100% Rg 测试

技术参数

  • 制造商编号

    :VS1606GT

  • 生产厂家

    :Vergiga

  • ESD

    :-

  • BVDSS[V]

    :100.00

  • bVGS[V]

    :20.00

  • vth_min

    :1.40

  • vth_max

    :2.50

  • ID[A]

    :65.00

  • PD[W]

    :86.00

  • RDS (on) Typ[mR]@10V

    :9.50

  • RDS (on) Typ[mR]@4.5V

    :13.00

  • RDS (on) Typ[mR]@2.5V

    :0.00

  • RDS (on) Typ[mR]@1.8V

    :0.00

  • Ciss

    :1470.00

  • Coss

    :730.00

  • Crss

    :30.00

  • Qg(10V)[nC]

    :24.00

  • Qg(4.5V)[nC]

    :12.00

  • Package

    :TO-220AB

  • Technology

    :SGT

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