VS1606GT中文资料MOSFET数据手册Vergiga规格书
VS1606GT规格书详情
描述 Description
N沟道增强型功率MOSFET采用VitoMOSⅡ技术制造，具有更低的导通损耗和开关损耗以及优越的开关性能。该产品可广泛应用于开关电源、电池保护等领域。
特性 Features
1.VitoMOSⅡ 技术
2.更低的导通损耗和开关损耗
3.极低的Qg
4.100% 雪崩测试；100% Rg 测试
技术参数
- 制造商编号
：VS1606GT
- 生产厂家
：Vergiga
- ESD
：-
- BVDSS[V]
：100.00
- bVGS[V]
：20.00
- vth_min
：1.40
- vth_max
：2.50
- ID[A]
：65.00
- PD[W]
：86.00
- RDS (on) Typ[mR]@10V
：9.50
- RDS (on) Typ[mR]@4.5V
：13.00
- RDS (on) Typ[mR]@2.5V
：0.00
- RDS (on) Typ[mR]@1.8V
：0.00
- Ciss
：1470.00
- Coss
：730.00
- Crss
：30.00
- Qg(10V)[nC]
：24.00
- Qg(4.5V)[nC]
：12.00
- Package
：TO-220AB
- Technology
：SGT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay General Semiconductor - |
25+ |
MT-K 模块 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
CTC |
24+ |
SMD |
598000 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
CTC |
15+ROHS |
SMD |
72800 |
原装新货/价格漂亮/长期大量供应 |
询价 | ||
CTC |
23+ |
SMD |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
INT-A-PAK |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
KBPC-4 |
3000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
Vishay |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
Vishay(威世) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
2447 |
NA |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
VISHAY |
24+/25+ |
INT-A-PAK |
30 |
原装正品现货库存价优 |
询价 |
