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VS-GT300YH120N中文资料PDF规格书

VS-GT300YH120N
厂商型号

VS-GT300YH120N

参数属性

VS-GT300YH120N 封装/外壳为双 INT-A-PAK(3 + 8);包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块;产品描述:IGBT MOD 1200V 341A INT-A-PAK

功能描述

DIAP Trench IGBT Power Module - 1200 V, 300 A Current Fed Inverter Topology

文件大小

198.87 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Vishay Siliconix
企业简称

Vishay威世科技

中文名称

威世科技半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-13 20:05:00

产品属性

  • 产品编号:

    VS-GT300YH120N

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 包装:

    托盘

  • IGBT 类型:

    沟道

  • 配置:

    半桥

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.17V @ 15V,300A(标准)

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    双 INT-A-PAK(3 + 8)

  • 供应商器件封装:

    双 INT-A-PAK

  • 描述:

    IGBT MOD 1200V 341A INT-A-PAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Vishay General Semiconductor -
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双 INT-A-PAK(3 + 8)
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晶体管-分立半导体产品-原装正品
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