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VS-GT100TP60N_V01	文件：189.03 Kbytes Page：7 Pages	Half Bridge IGBT Power Module, 600 V, 100 A FEATURES • Low VCE(on) trench IGBT technology • 5 μs short circuit capability • VCE(on) with positive temperature coefficient • Maximum junction temperature 175 °C • Low inductance case • Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD • Isolated copper baseplate using DCB (direct copper b 文件：189.03 Kbytes 页数：7 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
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VS-HFA70EA120	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY SOT-227B	VishayVishay Siliconix 威世上传：深圳市斌腾达科技有限公司	Vishay

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更多VS-GT100TP60N_V01供应商更新时间2025-10-14 14:21:00