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VS-GB90SA120U中文资料Insulated Gate Bipolar Transistor (Ultrafast IGBT), 90 A数据手册Vishay规格书

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厂商型号

VS-GB90SA120U

参数属性

VS-GB90SA120U 封装/外壳为SOT-227-4;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MOD 1200V 149A 862W SOT227

功能描述

Insulated Gate Bipolar Transistor (Ultrafast IGBT), 90 A

封装外壳

SOT-227-4

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-27 22:30:00

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VS-GB90SA120U规格书详情

特性 Features

·NPT Generation V IGBT technology
·Square RBSOA
·Positive VCE(on) temperature coefficient

技术参数

  • 产品编号:

    VS-GB90SA120U

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 包装:

    散装

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 配置:

    单路

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.9V @ 15V,75A

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    SOT-227-4

  • 供应商器件封装:

    SOT-227

  • 描述:

    IGBT MOD 1200V 149A 862W SOT227

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