VS-GB100TH120N_分立半导体产品晶体管-IGBT-模块-Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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厂家型号：
VS-GB100TH120N
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-IGBT-模块
封装外壳：
双 INT-A-PAK（3 + 4）
包装：
盒
安装类型：
底座安装
更新时间：
2024-5-20 14:12:00

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原厂料号：VS-GB100TH120N品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

资料说明：IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK

VS-GB100TH120N是分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块。制造商Vishay General Semiconductor - Diodes Division生产封装双 INT-A-PAK（3 + 4）的VS-GB100TH120N晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥；升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

芯片型号：
vs-gb100th120n
规格书：
下载
资料说明：
IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK

产品属性

类型
描述
产品编号：
VS-GB100TH120N
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
包装：
盒
配置：
半桥
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.35V @ 15V，100A
输入：
标准
NTC 热敏电阻：
无
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
双 INT-A-PAK（3 + 4）
供应商器件封装：
双 INT-A-PAK
描述：
IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK

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VS-GB100TH120N

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