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VS-ETL015Y120H	文件：275.13 Kbytes Page：13 Pages	EMIPAK-2B PressFit Power Module Double Interleaved Boost Converter, 15 A FEATURES • Trench IGBT technology • HEXFRED clamping diode technology • Rectifier bypass diode • PressFit pins technology • Exposed Al2O3 substrate with low thermal resistance • Integrated thermistor • 10 μs short circuit capability • Square RBSOA • Low internal inductances • Low switchi 文件：275.13 Kbytes 页数：13 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VS-ETL015Y120H	文件：338.89 Kbytes Page：13 Pages	EMIPAK-2B PressFit Power Module Double Interleaved Boost Converter, 15 A 文件：338.89 Kbytes 页数：13 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VS-ETL015Y120H_V01	文件：275.13 Kbytes Page：13 Pages	EMIPAK-2B PressFit Power Module Double Interleaved Boost Converter, 15 A FEATURES • Trench IGBT technology • HEXFRED clamping diode technology • Rectifier bypass diode • PressFit pins technology • Exposed Al2O3 substrate with low thermal resistance • Integrated thermistor • 10 μs short circuit capability • Square RBSOA • Low internal inductances • Low switchi 文件：275.13 Kbytes 页数：13 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VS-ETL015Y120H	文件：300 bytes Page：1 Pages	EMIPAK-2B PressFit Power Module Double Interleaved Boost Converter, 15 A	Vishay 威世	Vishay
VS-ETL015Y120H	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：EMIPAK-2B；包装：盒类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 22A 89W EMIPAK-2B	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

产品属性

产品编号：
VS-ETL015Y120H
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
包装：
盒
IGBT 类型：
沟道
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.03V @ 15V，15A
输入：
标准
NTC 热敏电阻：
是
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
EMIPAK-2B
供应商器件封装：
EMIPAK-2B
描述：
IGBT MOD 1200V 22A 89W EMIPAK-2B

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更多VS-ETL015Y120H供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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