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VS-C16CP07L-M3_V01

650 V Power SiC Merged PIN Schottky Diode, 2 x 8 A

FEATURES • Majority carrier diode using Schottky technology on SiC wide band gap material • Positive VF temperature coefficient, for easy paralleling • Virtually no recovery tail and no switching losses • Temperature invariant switching behavior • 175 °C maximum operating junction temperatu

文件:135.04 Kbytes 页数:5 Pages

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更多VS-C16CP07L-M3_V01供应商 更新时间2025-12-7 11:06:00