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VS-C08ET07T-M3_V01	文件：154.57 Kbytes Page：5 Pages	650 V Power SiC Merged PIN Schottky Diode, 8 A FEATURES • Majority carrier diode using Schottky technology on SiC wide band gap material • Positive VF temperature coefficient for easy paralleling • Virtually no recovery tail and no switching losses • Temperature invariant switching behavior • 175 °C maximum operating junction temperatur 文件：154.57 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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更多VS-C08ET07T-M3_V01供应商更新时间2025-10-7 16:06:00