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VS-8EWS12S-M3数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

VS-8EWS12S-M3

参数属性

VS-8EWS12S-M3 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252AA

功能描述

High Voltage Surface Mountable Input Rectifier Diode, 8 A

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技 威世科技半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-6 20:00:00

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VS-8EWS12S-M3规格书详情

特性 Features

Glass passivated pellet chip junction
Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C

应用 Application

Input rectification
Vishay Semiconductors switches and output rectifiers which are available in identical package outlines

技术参数

  • 产品编号:

    VS-8EWS12S-M3

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    管件

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    8A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    D-PAK(TO-252AA)

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252AA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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