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VS-8ETH06HN3数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

VS-8ETH06HN3

参数属性

VS-8ETH06HN3 封装/外壳为TO-220-2;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

功能描述

Hyperfast Rectifier, 8 A FRED Pt®

封装外壳

TO-220-2

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技 威世科技半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-7 14:36:00

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VS-8ETH06HN3规格书详情

特性 Features

Hyperfast recovery time
Low forward voltage drop
175 °C operating junction temperature

应用 Application

State of the art hyperfast recovery rectifiers designed with optimized performance of forward voltage drop, hyperfast recovery time, and soft recovery.
The planar structure and the platinum doped life time control guarantee the best overall performance, ruggedness and reliability characteristics.
These devices are intended for use in PFC boost stage in the AC/DC section of SMPS, inverters or as freewheeling diodes.

技术参数

  • 产品编号:

    VS-8ETH06HN3

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®

  • 包装:

    管件

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    8A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-2

  • 供应商器件封装:

    TO-220AC

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 175°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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