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VS-6F100M	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：DO-203AA，DO-4，接线柱类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 1KV 6A DO203AA	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
6F100	文件：129.18 Kbytes Page：6 Pages	StandardRecoveryDiodes(StudVersion),6A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
6F100	文件：336.52 Kbytes Page：8 Pages	6,12and16AmpDiffusedSiliconRectifierDiodes	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
6F100	文件：72.52 Kbytes Page：6 Pages	STANDARDRECOVERYDIODES	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
6F100	文件：116.75 Kbytes Page：2 Pages	StandardRecoveryDiodes(StudVersion) Features •DiffusedSeries •Industrialgrade •AvailableinNormalandReversepolarity •MetricandUNFthreadtype	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
6F100M	文件：142.22 Kbytes Page：7 Pages	StandardRecoveryDiodes(StudVersion),6A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
6F100M	文件：129.18 Kbytes Page：6 Pages	StandardRecoveryDiodes(StudVersion),6A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
A6F100	文件：299.31 Kbytes Page：1 Pages	20STERNAVESPRINGFIELD	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
R6F100AXB	文件：143.15 Kbytes Page：2 Pages	ReinforcedClassHandKFuseHolder100Amps,600VoltsAC/DC	MARATHON Regal Beloit Corporation	MARATHON
SMA6F100A	文件：663.52 Kbytes Page：14 Pages	600WTVSinSMAFlat Features •Peakpulsepower:600W(10/1000μs)and4kW(8/20μs) •Flatandthinpackage:1mm •Stand-offvoltagerangefrom5Vto188V •Unidirectionaltype •Lowleakagecurrent:0.2μAat25°Cand1μAat85°C •OperatingTjmax:175°C •HighpowercapabilityatTjmax.:upto40	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
SMA6F100A	文件：132.84 Kbytes Page：6 Pages	Surface-MountTRANSZORB®TransientVoltageSuppressors FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof0.95mm •Idealforautomatedplacement •Unidirectionalonly •Excellentclampingcapability •Peakpulsepower: -600W(10/1000μs) -4kW(8/20μs) •ESDcapability:IEC61000-4-2level4 -15kV(air) -8kV(contact) •MeetsMSLleve	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SMB6F100A	文件：681.67 Kbytes Page：13 Pages	600WTVSinSMBFlat Features •Peakpulsepower:600W(10/1000μs)and4kW(8/20μs) •Flatandthinpackage:1mm •Stand-offvoltagerangefrom5Vto188V •Unidirectionaltype •Lowleakagecurrent:0.2μAat25°Cand1μAat85°C •OperatingTjmax:175°C •HighpowercapabilityatTjmax.:upto47	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
VS-6F100	文件：154.36 Kbytes Page：6 Pages	StandardRecoveryDiodes,(StudVersion),6A FEATURES •Highsurgecurrentcapability •Studcathodeandstudanodeversion •Widecurrentrange •Typesupto1200VVRRM •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS •Converters •Powersupplies •Machinetoolc	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

产品属性

产品编号：
VS-6F100M
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
6A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
底座，接线柱安装
封装/外壳：
DO-203AA，DO-4，接线柱
供应商器件封装：
DO-203AA（DO-4）
工作温度 - 结：
-65°C ~ 175°C
描述：
DIODE GEN PURP 1KV 6A DO203AA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多VS-6F100M供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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