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VS-40EPS08-M3	文件：163.09 Kbytes Page：6 Pages	Very low forward voltage drop 文件：163.09 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VS-40EPS08-M3	文件：127.43 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage, Input Rectifier Diode, 40 A 文件：127.43 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VS-40EPS08-M3	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Voltage, Input Rectifier Diode, 40 A Very low forward voltage drop\n150 °C max. operating junction temperature\nGlass passivated pellet chip junction;	Vishay 威世	Vishay
VS-40EPS08-M3	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-2；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 800V 40A TO247AC	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

产品属性

产品编号：
VS-40EPS08-M3
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
管件
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
40A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-2
供应商器件封装：
TO-247AC 改进型
工作温度 - 结：
-40°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 800V 40A TO247AC

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更多VS-40EPS08-M3供应商更新时间2025-12-13 23:01:00

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