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VS-3C20ET07T-M3数据手册Vishay中文资料规格书
VS-3C20ET07T-M3规格书详情
特性 Features
Majority carrier diode using Schottky technology on SiC wide band gap material
Improved VF and efficiency by thin wafer technology
Positive VF temperature coefficient for easy paralleling
技术参数
- 制造商编号
：VS-3C20ET07T-M3
- 生产厂家
：Vishay
- IF(AV) (A)
：20
- VF at IF(V at A)
：1.3
- IFSM (A)
：110
- QC (nC)
：53
- TJ max. (°C)
：175
- Package (JEDEC®) Code
：TO-220AC 2L
- Circuit Configuration
：Single
- AEC-Q101 Qualified
：No
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
24+ |
con |
35960 |
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ASTEC |
23+ |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
DO-214AB |
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VISHAY |
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VISHAY |
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