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VS-25ETS12STRR-M3数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

厂商型号 |
VS-25ETS12STRR-M3 |
参数属性 | VS-25ETS12STRR-M3 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 25A TO263AB |
功能描述 | High Voltage Surface Mount Input Rectifier Diode, 25 A |
封装外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
制造商 | Vishay Vishay Siliconix |
中文名称 | 威世科技 威世科技半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 15:39:00 |
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VS-25ETS12STRR-M3规格书详情
特性 Features
Glass passivated pellet chip junction
Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C
Designed and qualified according to JEDEC®-JESD 47
应用 Application
Input rectification
Vishay switches and output rectifiers which are available in identical package outlines
技术参数
- 产品编号:
VS-25ETS12STRR-M3
- 制造商:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装:
管件
- 二极管类型:
标准
- 电流 - 平均整流 (Io):
25A
- 速度:
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
- 供应商器件封装:
TO-263AB(D²PAK)
- 工作温度 - 结:
-40°C ~ 150°C
- 描述:
DIODE GEN PURP 1.2KV 25A TO263AB
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
DO-203AA(DO-4) |
400 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
N/A |
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VISHAY/威世 |
24+ |
NA |
30000 |
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VISHAY/威世 |
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NA |
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VISHAY |
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7500 |
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询价 | ||
Vishay General Semiconductor - |
25+ |
TO-263AB(D?PAK) |
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Vishay |
2022+ |
原厂原包装 |
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BANNER |
22+ |
NA |
500000 |
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VISHAY/威世 |
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DO-203AA(DO-4) |
100500 |
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VISHAY/威世 |
22+ |
DO-203AA(DO-4) |
25000 |
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询价 |