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VS-20ETS12STRR-M3

High Voltage Surface Mount Input Rectifier Diode, 20 A

Glass passivated pellet chip junction\nMeets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C\nDesigned and qualified according to JEDEC®-JESD 47;

Vishay

威世

VS-20ETS12STRR-M3

High Voltage Surface Mount Input Rectifier Diode, 20 A

文件:181.81 Kbytes 页数:7 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

VS-20ETS12STRR-M3

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:管件 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VS-30BQ100-M3/9AT

SMC

VISHAY(威世)

VS-30BQ100TRPBF

SMC

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

上传:深圳市鼎欣微电子有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    VS-20ETS12STRR-M3

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    管件

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    20A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    TO-263AB(D²PAK)

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多VS-20ETS12STRR-M3供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00