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VS-20ETS12S-M3数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

VS-20ETS12S-M3

参数属性

VS-20ETS12S-M3 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB

功能描述

High Voltage Surface Mount Input Rectifier Diode, 20 A

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技 威世科技半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-8 11:45:00

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VS-20ETS12S-M3规格书详情

特性 Features

Glass passivated pellet chip junction
Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C
Designed and qualified according to JEDEC®-JESD 47

应用 Application

Input rectification
Vishay Semiconductors switches and output rectifiers which are available in identical package outlines

技术参数

  • 产品编号:

    VS-20ETS12S-M3

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    20A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    TO-263AB(D²PAK)

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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