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VS-1N1185A	文件：147.02 Kbytes Page：7 Pages	Power Silicon Rectifier Diodes, (Stud Version), 35 A, 40 A, 60 A FEATURES •Lowleakagecurrentseries •Goodsurgecurrentcapabilityupto1000A •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VS-1N1185A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：DO-203AB，DO-5，接线柱类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 150V 40A DO203AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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USAF1N1185	文件：2.44311 Mbytes Page：6 Pages	GERMANIUMPNPTRANSISTORS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1

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产品属性

产品编号：
VS-1N1185A
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
40A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
底座，接线柱安装
封装/外壳：
DO-203AB，DO-5，接线柱
供应商器件封装：
DO-203AB（DO-5）
工作温度 - 结：
-65°C ~ 200°C
描述：
DIODE GEN PURP 150V 40A DO203AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多VS-1N1185A供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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